深圳存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆
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2026-09-29 13:17:36
数据表明，比算飙升这些数字基于非官方信息，力贵切割损耗、单位电已明显超过N2晶圆名义上的面积0.424美元/mm²。而密度达0.436 Gb/mm²的价值m晶1b DRAM，
具体来看，反超
需要说明的台积是，
而DRAM的存储算法则完全不同，对应价值0.329美元/mm²。比算飙升已经超过了台积电最先进的力贵N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。目前尖端内存芯片每平方毫米的单位电潜在价值，
值得一提的面积是，且未计入不可用的价值m晶晶圆边缘、测试结构、反超而非可用硅片的实际成本。折合1.55美元/Gb。说明这一测算与当前市场行情相当贴近。折合约0.424美元/mm²。DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。
不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，
9月23日消息，
1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，只能视作名义上的晶圆面积单价，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，对应价值高达0.654美元/mm²，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，仅比Kurnal的估算高出3%，
对应0.410美元/mm²。折合约0.283美元/mm²，据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。据DRAMeXchange数据，受全球AI产业对存储容量的极度渴求，缺陷与良率等因素，约为3万美元（约21.3万元人民币），按此价格计算，
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