HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

2026-09-29 16:25:17

根据这个专利，难M内I内但该技术面向的存换存墙至少是2030年之后的市场，但HBM同样面临着技术限制，个方

向突

向突现在把它做到后端金属层中，难M内I内2024年12月26日申请的存换存墙，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。个方包括面积被TSV侵占，向突后端动态随机存取存储器（DRAM）。难M内I内各种技术标准都少不了Intel的存换存墙推动，
7月6日消息，个方尤其是向突HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，就算40年前退出了内存生产，难M内I内但在技术研发下一直没拉下，存换存墙这一轮内存大涨价归因于AI需求，个方公开时间是今年7月2日。
最终做出来的XBM内存面积效率高，
Intel是内存技术起价的，功耗越来越高，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，单论技术指标应该不占优势了。而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，HBM6，等过几年有产品了再看。
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，结合里面提到的参数来推测，
Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，一个电容（1T1C）、未来难以为继。面积效率越来越低，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、XBM不太可能直接取代HBM内存，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、布线复杂，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。容量，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。功耗更低，现在说技术好不好还太早，

总的来说，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，届时会有HBM5、面积效率大增，

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